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三星計劃使用背面供電網絡 (BSPDN) 技術來開發(fā)2納米芯片

TheLec 報道稱，三星正計劃使用一種稱為背面供電網絡 (BSPDN) 的技術來開發(fā) 2 納米，該技術是上周由研究員 Park Byung-jae 在三星 SEDEX 2022 上推出的一種新技術。該方案給出了制程縮進、3D封裝外的另一個方向，即開發(fā)晶圓背面。

轉載：TheLec 

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