氮化鎵外延用硅襯底問題研究來源：電子工藝技術 第39卷第1期 摘要：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產化問題日益凸顯。分析了國產片外延后...
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為5G智能手機打造 西部數(shù)據(jù)發(fā)布第二代UFS 3.1移動存儲新品 來源：全球半導體觀察 原作者：Echo&...
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科普｜碳化硅芯片怎么制造？文章來源：電氣小青年 先進半導體研究院 芯片是如何制造的？ 網絡熱議的碳化硅芯片與傳統(tǒng)硅基芯片有什么區(qū)別？ &n...
第九屆中國半導體設備年會延期舉辦通知來源：微電子制造本次會議延期舉辦通知如下：（聲明：本文版權歸原作者所有，轉發(fā)僅為更大范圍傳播，若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除：wang@cgbtek.com）
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